UCC27710 (正在供货)

UCC27710 620-V High-Side Low-Side Gate Driver with 2.5-A Peak Output and Robust

 

描述

UCC27710 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器,具有 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流能力,专用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT。

对于 IGBT,建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V,对于 MOSFET,建议的 VDD 工作电压为 17V。

UCC27710 包含保护 特性, 在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达 10V 至 20V,并且为 VDD 和 HB 偏置电源提供了 UVLO 保护。

该器件采用 TI 先进的高压器件技术, 具有 强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区 (NTSOA),以及互锁。

该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO),后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件 具有 快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在 UCC27710 上,每个通道均由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。

特性

  • 高侧和低侧配置
  • 双输入,带输出互锁和 150ns 死区时间
  • 在高达 620V 的电压下完全可正常工作,HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
  • VDD 建议范围为 10V 至 20V
  • 峰值输出电流 0.5A 拉电流、1.0A 灌电流
  • 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
  • HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
  • 输入负电压容差为 –5V
  • 大型负瞬态安全工作区
  • 为两个通道提供 UVLO 保护
  • 短传播延迟(典型值 140ns)
  • 延迟匹配(典型值 8ns)
  • 设计用于自举操作的悬空通道
  • 低静态电流
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 行业标准 SOIC-8 封装
  • 所有参数额定温度范围:–40°C 至 +125°C

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参数 与其它产品相比 半桥驱动器

 
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Iq (uA)
Input Threshold
Channel Input Logic
Negative Voltage Handling at HS Pin (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
UCC27710 UCC27712 UCC27712-Q1 UCC27714
2    2    2    2   
MOSFET
IGBT   
MOSFET
IGBT   
MOSFET
IGBT   
MOSFET
IGBT   
620    620    620    600   
1.0    2.8    2.8    4   
10    10    10    10   
22    20    20    18   
35    16    16    15   
16    10    10    15   
100    100    100    90   
250    250    250    300   
TTL
CMOS   
TTL
CMOS   
TTL
CMOS   
TTL
CMOS   
Non-Inverting    Non-Inverting    Non-Invertering    Non-Inverting   
-11    -11    -11    -8   
Interlock    Interlock    Interlock    N/A   
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