CSD25501F3 (正在供货)

CSD25501F3 –20-V P-Channel FemtoFET? MOSFET

 

描述

这款 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比使栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 。

特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 薄型
    • 最大高度为 0.22mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准

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参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
High-Side PMOS
CSD25501F3 CSD25213W10 CSD25480F3
-20    -20    -20   
-20    -6    -12   
Single    Single    Single   
76    47    159   
125    67    260   
260      840   
-13.6    -16    -10.4   
-3.6    -1.6    -1.7   
1.02    2.2    0.7   
0.09    0.14    0.1   
0.45    0.74    0.26   
-0.75    -0.85    -0.95   
LGA 0.6x0.7    WLP 1.0x1.0    LGA 0.6x0.7   
YES   YES   YES